英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆
來源 IT之家1 小時前
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IT之家 11 月 10 日消息，Infineon（英飞凌）当地时间 9 日宣布，其成功率先在全规模半导体晶圆厂环境中 将 300mm（12 英寸）碳化硅 (SiC) 晶圆加工为功率半导体器件 。 这一创举基于奥地利 Villach 晶圆厂的现有硅 (Si) 半导体制造设备，显示了大尺寸碳化硅晶圆在商业化上的实际潜力…
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